pecvd

• ks. plasma enhanced chemical vapor deposition
  
  plasma reaktörü içinde gerçekleştirilen vapor deposition olayının adıdır. plasma oluşumu reaksiyonun çok daha düşük sıcaklık seviyelerinde (400c) gerçekleşmesine imkan sağlar ki bu da pecvd'nin en büyük avantajıdır.
  düşük basınç kullanılması (50militorr-5torr arası) lpcvd sistemlerini andırır. plasma oluşumu için 100khz ile 40mhz arası bir radyo frekansı uygulanır reaktör içindeki üst-plate'e.
  en genel kullanımı mikroelektronik parçalar için silicon nitride kaplanmasıdır. bu işlem için 300derece civarında bir sıcaklık gerekir-fazlası değil. 500 watt güçtü dakikada 300 angström gibi bir kaplama hızına ulaşılabilir.