fet

• field effect transistor kisaltmasi
• giriş dirençleri çok yüksek oldugu için bağlandıkları devreleri yüklemezler. az gürültü ürettikleri için giriş devreleri için tercih edilirler.
• microsoft partneri bir yazilim firması. http://www.fet.com.tr/
• (bkz: jfet)
• okullar için ders programı çıkartma yazılımı.
  
  ders veren kişileri, dersleri, öğrencileri, ders verilebilecek mekanları, mekanlardaki ekipmanları, derslerde hangi ekipmanalrın gerektiğini, dersi kaç kişinin aldığı gibi bilimum veriyi giriyorsunuz, genetik algoritmalar sağolsun bir evrimleşme süreci başlıyor ve size bir süre sonra süper bir ders programı çıkartıyor.
  
  ayrıca şu eleman günde en az şu kadar ders vermel, sonra şu sınıf şu günlerde boş olmalı gibi kısıtlar da verebiliyorsunu. yapan kişileri alnından öpüyori özgür yazılım olduğunu belirtip son noktayı koyuyorum.
• p-kanalli (fet)hullah hoca seklinde ayi esprilerine de konu olan elektronik devre elemani.
• iki yanı farklı türden maddeyle dope edilmiş bir kondasatörden oluşan transistördür.
  
  n kanallı hali için çalışma şekli şöyledir (p kannallı hali için de tam tersi):
  
  p ile dope edilmiş bir yarı iletkenin üzerine küçük bir iletken yerleştirilir, bu iletkene "gate"e gidecek şekilde bir bağlantı yapılır. bu metal parçasının (metal yerine başka yarı iletken bileşikleri de kullanılır ama karıştırmayalım şimdi) sağı ve solu n ile dope edilir. dope ladığımız bu yeni iki kısımdan birini "drain"e, diğerini "source"a gidecek şekilde bağlarız böylece transistörümüz için gereken üç bağlantıyı tamamlamış oluruz. bu haliyle yarı iletkenimiz drain(n)-gate(p)-source(n) şeklinde durmakta yanlız gate kısmının üzerinde küçük bir iletken levha bulunmaktadır. yarı iletken bu haliyle sırt sırta durmuş iki diyotu andırdığı için d-s uçlarından akım geçirmez.
  
  şimdi g ye pozitif potansiyel uygulamaya başlayalım. bu durumda levha üzerinde artı yükler birikecek, artının artıyı itmesi sonucu levhanın hemen altındaki g kısmında bulunan delkiler(hole) itilmeye başlayacaktır. potansiyeli daha da yükseltirsek daha çok delik itilecek ve bir noktadan sonra itecek delik kalmayacaktır. yine de g deki potansiyeli yükseltmeye devam edersek yarı iletken maddemizin p kısmında bulunan çok az sayıdaki elektron levhanın hemen altında toplanmaya başlayacaktır. levha üzerinde biriken artı yüklerin çekim etkisiyle levhanın altında toplanan serbest elektronlar zaten n ile dope edilmiş ve çok fazla serbest elektronu bulunan d ve s kısımları arasında bir kanal oluşturur. bu durumda bu iki kısım arasına potansiyel fark uyguladığımızda d den harekete geçen elektronlar kanaldan akar ve s ucuna gider. başka bir deyilşle kanalımız iletken hale gelmişdir.
  
  böylece g ucuna uygulanan potansiyel farka göre s ve d uçları arasından geçen akımı kontrol edebiliriz.
• farklı küçük devrelerin birleştirildiğinde değişen empedans ve akım-gerilim ilişkilerinin değişmemesi için kullanılan elektronik zımbırtı. bir sürü çeşidi vardır, ama neredeyse hepsi aynı işi yapar.
• (bkz: nomfet)
• drain,gate ve source olarak adlandırılan 3 bacaklı bir field effect transistördür.bjtden farkı akım yerine gerilim kontrollü bir transistör olmasıdır bu nedenle gate bacağından akım akmaz.