şükela:  tümü | bugün
  • silikon chiplere kaba tabirle kat cikmaya izin veren ve moore yasasinin devamini saglayacak gibi gozuken intel tarafindan kullanilan chip olusturma teknolojisi.
    http://en.wikipedia.org/…i/multigate_device#finfets
  • amd ve nvidia bu sene icerisinde bazi ürünlerinde kullanmayi planladigi teknoloji. eger apple bu ürünlerde mutabik olursa yine mbp ve imac ürünlerinde 7 ay sonra görme imkani olabilir, ama apple bu; "hele bir upgrade olsun bunlar" diye bekleyebilir.
  • yerini 5 yıl içinde gaafet ve mbcfet teknolojisine bırakacak transistör üretim yöntemi.
  • ks. fin field-effect transistor

    klasik mosfet transistörlerde, source ve drain arasındaki iletim kanalı (elektron* / boşluk* taşınımı) gate'e uygulanan gerilim ile, dolayısıyla elektrik alan ile kontrol edilir (bkz: fet). mosfet'lerde, gate katmanının altında (2-boyutlu ara kesit perspektifiyle* bakıldığında) bir dielektrik malzeme (oksit tabaka ve/veya leakage current'ı minimize etmek için high-k dielectric bir malzeme) bulunur. elektrik alan, arada kalan bu dielektrik* katmanın ardından uygulanarak source-drain arasındaki iletim kanalı (elektrik akımı) kontrol edilir. işte, finfet teknolojisinde source-drain kanalı, gate'in altında yer alan düzlemsel bir yalıtkan* katman ile izole edilmek yerine; source-drain kanalının, dielektrik katsayısı yüksek* bir yalıtkan ile sarmalanarak, gate'i penetre ettiği 3-boyutlu bir yapı olarak karşımıza çıkıyor. bu karmaşık anlatımı basite indirgemek için transistörün yapısı şu şekilde hayal edilebilir: eski tip kemerli bir taş köprü düşünelim; burada köprünün kendisi gate, kemerin altından akan nehir yük taşıyıcıları (veya basitçe, elektrik akımı), akıntının geldiği taraf source, köprünün altından geçerek aktığı taraf drain, köprünün kemer kısmının altı ise high-k dielektrik malzeme ile kaplı olacak biçimdedir. tabii bu örnek oldukça basite indirgenmiş ve eksikler içeren bir benzetim. fakat kabaca bu şekilde zihinde canlandırılabilir. (şurada çizilmişi de mevcut**)

    2010 yılından itibaren mikroişlemci** ve statik bellek** gibi mikroelektronik komponentlerin üretiminde kullanılan bu teknolojide, tsmc'nin geldiği son nokta ise 5nm kalınlığa sahip fin üretim teknolojisidir. peki, sırada ne var? diyenler için, tarkan'dan gelsin öyleyse: ölçekle bebeğim

    (bkz: moore's law)
    (bkz: quantum tunnelling)