şükela:  tümü | bugün
  • insulated gate bipolar transistor
    genellike guc elektronigi devrelerinde kullanilan (kgk[ups], dogrultucu, ac/dc motor kontrolu vs) bir yariiletken elemandir.
    kontrolu mosfet transistore benzer. gerilim farkı ile suruldugunden kontrol sirasinda guc kaybi dusuktur. konrol edilen akimin akisi transistor gibidir. dolayisi ile mosfet ve normal transistorun pozitif yonlerini kullanan guzel bir elemandir.
  • ks. isolated gate bipolar transistor
  • gerilim kontrollu bir guc elektronigi elemanidir.
  • igbt ( insulated gate bipolar transistor )
    türkçe meali : yalıtılmış kapılı iki kutuplu transistör

    3 terminali bulunan, 4 katmandan oluşan yarıiletken bir güç elemanıdır. 1982 yılında bulunmuştur. mosfet ve bjt transistörlerinin iyi olan özelliklerinin bir araya getirilmesi mantığıyla oluşturulan bir yarıiletken devre elemanıdır. sürme açısından mosfet kadar kolay sürülürken, güç iletimi ve yüksek akım taşıması yönünden ise bjt transistörlerine benzemektedir. verimleri yüksektir. yani kayıp güçleri düşüktür.hız bakımından normal tristörlerden daha hızlı,fakat mosfet lerden daha yavaş olmasına rağmen her iki elemandan kayıpları daha azdır. yüksek akım taşıma kapasitesine sahiptirler.hem sürmesi kolay hemde verimi yüksektir, iletim kayıpları düşüktür. yüksek empedanslı girişi vardır. yani mosfet ler gibi giriş dirençleri çok büyüktür. dolayısı ile küçük bir sinyalle kumanda edilebilirler. yüksek frekanslarda kullanılıyor olmaları güç elektroniği devrelerinde kullanım alanlarını arttırmıştır.
  • türkçesi "izole kapılı bipolar transistör". gerilim kontrollü bir anahtardır, gate direnci yüksek olduğundan gate akımı düşüktür. tetikleme frekansı güç transistörlerine karşı çok yüksektir. yüksek güç ve frekanslı anahtarlamalarda kullanılır.
    dc kıyıcı ve eviricilerde kullanımı artmaktadır. anahtarlama hızı ve gerilim düşümü açısından mosfetten daha kötü ama bjt den iyidir. ters dayanma gerilimi düşüktür, gto gibi kuyruk akımı içerir.
  • mosfetlerin frekans seviyelerine ulaşamasa da daha yüksek gerilim ve akım değerlerine mosfete nazaran daha uygundur. bu nedenle yüksek güçlü eviricilerde* igbt kullanılır.
  • yüksek akım gerektiren işlerde uygun fiyatlarıyla tercih edilen bir transistör çeşididir. voltaj ile tetiklenmesine rağmen güç kayıpları yine de çok yüksektir.
  • 2-level, 3-level ve 4-level gibi çeşitleri olan özellikle 4-level igbt versiyonu ile kayıp değerleri düşen ve ömürleri uzayan yarı iletken elemanların genel ismi