mosfet

• metal oxide semiconductor - field effect transistor.
• ses sistemlerinde aranan bir transistor çeşidi.
• (bkz: pioneer)
• okudugum bolum itibariyle duymaktan usandığım sözcük. aslında yararlı bir alettir.
• bir yarı iletken blok üzerine yerleştirilmiş bloktan farklı cinste katkılanmış iki adet elektroddan oluşur. bu elektrodlar ana bloktan ince bir metal oksit tabakası ile yalıtılmışlardır. p kanallısı, n kanallısı, arttırılmış ve azaltılmış tipleri vardır. düşük güç harcarlar. özellikle yüksek frekanslarla çalışırken sorun olan iç kapasitansları da düşüktür. yalıtkan olarak kullanılan silikon dioksit - cam yani - o kadar incedir ki vucutta birikmiş statik elektrik bile bunların bozulmalarına yolaçabilir. bu durumu önlemek için genelde içlerinde koruma amaçlı bir de zener diyot konulur. çok güzel yanarlar.
• (bkz: enhencement mosfet)
  (bkz: depletion mosfet)
• bircok kaynaga gore mosfet aslinda bjt transistorden once kesfedilmistir^*.
  
  yaygin kullanima gec girmesinin bir sebebi ilk yapilan mosfet'lerin silikon-silikon dioksit yuzeyinin kabul edilebilenden cok daha yuksek seviyede sodyum vb. iyonlarla kontamine olmasidir. bu geneli pozitif yuklu iyonlar, esik voltaji^* pozitif olan (yani kapatmak istediginizde kapanacak) duzgun bir nmos transistor yapilamamasina yol acmistir. ayni sekilde, enerji bantlarinin metal-oksit-yariiletken materyallerin bir araya gelmesiyle olusan denge durumundaki bukulumu de benzer bir sekilde esik voltajda kaymalar yaratmistir. bu kaymalar o kadar buyuktur ki bir nmos transistoru kapamak icin cok yuksek negatif gerilim gerekmektedir. bu nedenle basta duzgun calisanlar sadece pmoslardir (onlarda yine yuksek voltaj kaymalari ile), ve sadece pmos'la bugun buyuk olcekli dijital devrelerin kalbi olan cmos dedigimiz (complementary mos) teknolojisi mumkun degildir.
  
  bu buyuk kaymalari yaratan etkenlerden biri olan iyonlarin en buyuk kaynagi insanlardir. bu teknolojiyi ilk gelistiren bilim adamlari olaydan haberdar olmayip silikon parcalarini minciklamislardir.
  
  bu gun cip uretiminin buyuk temiz odalarda yapilmasi minyatur devrelerde kisa devre vb. yapabilecek parcaciklardan korunma isteginin yaninda bu iyon kontaminasyonundan da kurtulabilmektir. parcacik sayisi/boyutu gibi kriterlerin yaninda her uretim ekipmani metal kontamine olup olmamasina gore siniflandirilmistir. yani bir mosfet'i temiz olmayan bir ortamda bulunan parcaciklardan cok daha buyuk olceklerde yapmak isteseniz bile bu sorun yine karsiniza cikacaktir.
• bi mosfet'e ters gerilim verildiginde bi bok olmas çünkü mosfet'i yaban amcalar (yada tanri) bu tür salak durumlar için onun içine bir diyot koymuslardir, ki bu o amcalarin (ya da tanrilarin) zeki ve türkleri taniyan amcalar (tanrilar) oldugunu gösterir. ancak gelin görün ki mosfet'le hemen hemen ayni isi yaban igbt adli nacizane device'in içinde öle bisi yoktur yani kisi bir igbt'ye 30 voltluk bi ters gerilim vermek isterse o igbt'nin onu igbt yaban özelliklerinin kaybolmasi sonucuna da katlanmalidir, hassas ve delikanli bi devicedir igbt, öle ters gerilimlere gelemez, gerilir pörtler. peki mosfet'in içine diyot koymayi akil eden yüce rabbim igbt'yi nie böyle ezik yaratmistir? bu kainatin hiçbir zaman bilemeyecegimiz sirlarindan biridir. bununla yasamayi ögrenmeliyis ve bir igbt'ye hiçbir zaman ters gerilim uygulamamaliyiz.
• (bkz: fet)
• bjt tipi transistörden farklı olarak gate in den akım iletmeyen sadece source ile gerilim bölgesi oluşturan transistör tipidir