şükela:  tümü | bugün soru sor
  • yarıiletken kristalleri keserek küçültmeye çalıştığımızda ve adsorption sonucunda yarıiletken malzemede zaten bilinçli olarak trap'lar bulundurulmuşsa bile ilave trap'lar meydana gelir ve ortaya çıkan surface states etkileri nedeniyle elektron ve hole çiftlerinin rekombinasyon hızları değişir. buna yüzey rekombinasyon hızı denmekte ve yarıiletken aygıt teknolojisini sınırlayan önemli bir limittir.