fet

• iki yanı farklı türden maddeyle dope edilmiş bir kondasatörden oluşan transistördür.
  
  n kanallı hali için çalışma şekli şöyledir (p kannallı hali için de tam tersi):
  
  p ile dope edilmiş bir yarı iletkenin üzerine küçük bir iletken yerleştirilir, bu iletkene "gate"e gidecek şekilde bir bağlantı yapılır. bu metal parçasının (metal yerine başka yarı iletken bileşikleri de kullanılır ama karıştırmayalım şimdi) sağı ve solu n ile dope edilir. dope ladığımız bu yeni iki kısımdan birini "drain"e, diğerini "source"a gidecek şekilde bağlarız böylece transistörümüz için gereken üç bağlantıyı tamamlamış oluruz. bu haliyle yarı iletkenimiz drain(n)-gate(p)-source(n) şeklinde durmakta yanlız gate kısmının üzerinde küçük bir iletken levha bulunmaktadır. yarı iletken bu haliyle sırt sırta durmuş iki diyotu andırdığı için d-s uçlarından akım geçirmez.
  
  şimdi g ye pozitif potansiyel uygulamaya başlayalım. bu durumda levha üzerinde artı yükler birikecek, artının artıyı itmesi sonucu levhanın hemen altındaki g kısmında bulunan delkiler(hole) itilmeye başlayacaktır. potansiyeli daha da yükseltirsek daha çok delik itilecek ve bir noktadan sonra itecek delik kalmayacaktır. yine de g deki potansiyeli yükseltmeye devam edersek yarı iletken maddemizin p kısmında bulunan çok az sayıdaki elektron levhanın hemen altında toplanmaya başlayacaktır. levha üzerinde biriken artı yüklerin çekim etkisiyle levhanın altında toplanan serbest elektronlar zaten n ile dope edilmiş ve çok fazla serbest elektronu bulunan d ve s kısımları arasında bir kanal oluşturur. bu durumda bu iki kısım arasına potansiyel fark uyguladığımızda d den harekete geçen elektronlar kanaldan akar ve s ucuna gider. başka bir deyilşle kanalımız iletken hale gelmişdir.
  
  böylece g ucuna uygulanan potansiyel farka göre s ve d uçları arasından geçen akımı kontrol edebiliriz.